DICE加固结构触发器的重离子实验研究

摘要

基于o.18μφ工艺平台,对双互锁存储单元DICE(Double Interlocked Storage Cell)结构的触发器电路进行重粒子试验,验证单粒子效应SEE(Single Event Effect)中的单粒子翻转SEU(Single Event Upset)对体硅CMOS工艺器件及电路的影响.对比分析不同频率、不同驱动能力、不同版图结构和不同电压这4种情况下的辐照数据,结果表明:当合理考虑DICE触发器的工作频率、工作电压、版图面积、结点驱动等因素时,电路的翻转次数可降为13次,翻转阈值达到33 MeV· cm2/mg.