热载流子注入对器件性能影响及其改善措施

摘要

＜正＞当载流子在大于10~4V·cm-1的电场下运动时,它从电场获得的能量大于散射过程中与晶格原子碰撞损失的能量,因而载流子的温度将会超过晶格温度.这样的载流子就称为热载流子.在VLSIC中,为了达到高速度和高集成度,设计时必须采用一系列的折衷方案.为了避免短沟道效应,增加了体掺杂浓度,以使较小的沟道长度的器件保证质量,获得小的亚阈值泄漏电流.由于驱动电流的降低,栅氧化层厚度也按比例缩小.减小沟道长度、减薄氧化层厚度以及相应增加了体掺杂浓度,这些综合结果有助于产生和注入热载流子.一旦晶体管表面反