阿霉素在纳米钴/碳纳米管/ITO修饰电极上的电化学行为

摘要

以固定在氧化铟锡(ITO)电极上的多壁碳纳米管为基底吸附纳米钴,制备了复合纳米材料修饰的电极(Co/CNT/ITO).采用扫描电子显微镜(SEM )和电子能谱(EDS)等对其进行了表征.用纳米钴/碳纳米管/ITO电极,研究了阿霉素(ADM)的电化学行为.实验表明,该体系具有吸附性的不可逆过程,峰电位为-0.65 V(vs.Ag/AgCl),峰电流与ADM 浓度在1.0×10-9～5.0×10-7mol/L范围内呈线性关系;检出限为1.0×10-9mol/L.本法灵敏、简便.