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张海涛; 杨兴宽; 徐冰仲;
铁道科学研究院金化所;
PCVD; 沉积; TIN膜; 脉冲电源; 沉积温度; 晶粒细化;
机译:真空电弧沉积TiN膜的特点
机译:脉冲偏压电弧离子镀沉积Cu掺杂TiN复合膜的合成
机译:使用MgO / TiN缓冲层通过脉冲激光沉积在Si(111)衬底上逐层生长高品质ZnO外延膜
机译:脉冲激光沉积法制备的用于等离子体器件的与基底无关的高金属TiN膜
机译:使用脉冲电沉积在毯覆膜和沟槽中可调谐的铜微结构。
机译:低温下大功率脉冲磁控溅射在铀上沉积的TiN膜
机译:脉冲激光沉积制备Cr-Mg-N-O TIN膜的氧化行为
机译:通过脉冲激光烧蚀沉积Nd掺杂的YBa(2)Cu(3)O(7-x)膜(后印刷)
机译:在金属带材表面上沉积TiN膜的方法以及连续沉积TiN膜的装置
机译:带有至少一个加热区的钨膜沉积设备,用于去除TiN膜中的杂质气体
机译:通过微波PCVD方法连续形成大面积功能沉积膜的方法和适用于该方法的设备
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