多孔硅异质结的制备及光电探测性能研究

摘要

cqvip:利用不同方法制备出多孔硅并在多孔硅上生长透明导电的薄膜,通过多孔硅独特的结构特点与SnO2薄膜形成p-n异质结,研究其光电响应特性,初步结果表明,多孔硅/SnO2薄膜异质结构的光电探测器具良好的响应度以及响应时间,这将拓宽多孔硅异质结在光电探测器领域的应用。