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X波段低相噪VCO设计

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摘要

从HJFET的物理模型出发,提出了反沟道HJFET的电路模型,分析其等效电路,并在此基础上设计并制作了一个反沟道振荡器.

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来源
《中国无线电》 |2005年第11期|65-66|共2页
作者
唐伟; 吴正德; 王占平; 唐小宏;
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作者单位

电子科技大学电子工程学院;

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电子科技大学电子工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类无线通信;
关键词
压控振荡器; 反沟道; 低相噪; 1/f噪声;

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