首页> 中文期刊> 《中国新通信》 >基于IPOSIM的IGBT功率损耗仿真

基于IPOSIM的IGBT功率损耗仿真

         

摘要

IGBT作为一种功率半导体器件,在电能应用邻域得到广泛应用.在IGBT的使用过程中,要求功率开关器件降低损耗、提高效率、提高性能.本文就IGBT的损耗计算方法作了简要介绍,并就英飞凌IGBT作了功率损耗的仿真分析.

著录项

  • 来源
    《中国新通信》 |2016年第9期|106-107|共2页
  • 作者

    杨淼; 林灵; 程磊; 王衡;

  • 作者单位

    中国船舶重工集团公司第七二二研究所;

    中国船舶重工集团公司第七二二研究所;

    中国船舶重工集团公司第七二二研究所;

    中国船舶重工集团公司第七二二研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    IGBT; 功率损耗; 计算方法; 仿真;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号