靶材热处理温度对磁控溅射Mo薄膜组织和性能的影响

摘要

采用磁控溅射设备和经过不同温度热处理的Mo靶材,以相同的溅射工艺参数,在Si基片上制备了Mo金属薄膜,研究了靶材的热处理温度对Mo薄膜组织和性能的影响.研究结果发现,所制备Mo薄膜均呈现(110)晶面择优取向,而靶材热处理温度的升高能够提高(110)晶面的择优取向程度.所有薄膜均为T型低温抑制生长.比较结果表明:经1 200℃热处理的Mo靶材溅射率最高(18.5 nm/min),且其溅射膜具有较小的方阻值和较好的厚度均匀性,综合性能最优.