第三代半导体SiC功率器件栅氧制备设备及工艺研究

摘要

第三代半导体碳化硅(SiC)材料具备耐高压、高频、高温等优越的特性,非常适合制作大功率电力电子器件。由于SiC材料不易氧化以及碳原子结构的影响,需更高温度进行SiO2/SiC生长,且氧化后SiO2/SiC界面存在大量的碳悬挂键,给器件的迁移率及可靠性等性能等带来影响,所以一般需要更高温度能力以及具备特殊后退火处理技术的工艺设备,以满足制备SiC高性能栅氧层的需求。本文重点介绍SiC MOSFET(金属氧化层半导体场效晶体管)器件栅氧制备的工艺特点,设备原理、以及工艺制备的效果。