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Arm;
不详;
Arm; 台积电; POP; 科技; 工艺; 数字电视市场; 数字电视系统; 驱动IC;
机译:台湾台积电与英国ARM合作采用10 FinFET工艺实现ARMv8-A IP
机译:16个采用FinFET工艺技术的名字处理器Namenamel设计,由英国ARM和台湾台积电共同完成
机译:与台积电在MediaTech IoT领域结盟55纳米ULP采用
机译:采用台积电0.18μm工艺的无电池,符合TIRIS®标准的RFID应答器IC的设计
机译:基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化,以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计(采用GSML方法)。
机译:基于氧化石墨烯/银纳米线纳米复合材料的柔性透明图案化电极采用加速的紫外线/臭氧工艺控制银纳米线的降解
机译:采用台积电0.18μm工艺的Tag-ItTM兼容13.56 MHz无源RFID应答器IC的设计
机译:技术解决方案案例研究:采用基于气溶胶的密封工艺进行公寓划分。
机译:在基于动态IP地址的网络中采用基于固定IP地址的加密设备的方法和系统
机译:将ARM生态系统IP集成到基于PCI的互连中的方法
机译:将ARM生态系统IPS集成到基于PCI的互连中的方法
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