外部干扰磁场下线性差动变压器式位移传感器测量精度分析及补偿方法研究

摘要

cqvip:线性差动变压器式位移传感器(LVDT)中,当LVDT处于外部变化缓慢的磁场中,则会产生几百微米的位置误差,而通常的位置误差标准为几十微米。基于磁屏蔽原理提出一种新型LVDT结构,减少外界稳恒磁场的影响。采取有限元的方法在Ansys Maxwell中建立等效模型,通过Maxwell Circuit Editor添加外部激励电源进行联合仿真。研究分析表明该新型LVDT结构能有效减小外磁场对LVDT本身磁路的影响,有效降低位置误差。