首页> 中文期刊> 《中国电子商情：基础电子》 >砷化镓:应用广泛的半导体材料

砷化镓:应用广泛的半导体材料

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

＜正＞生长技术,后来居上砷化镓（GaAs）是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料之一,广泛应用于光电子和微电子领域。目前全球砷化镓单晶的总年产量已超过200吨,3英寸～4英寸Si-GaAs已投入大量生产。2001年北京有色金属研究总院成功研制出国内第一根直径4英寸VCZ半绝缘砷化镓单

著录项

来源
《中国电子商情：基础电子》 |2004年第z1期|52-53|共2页
作者
江滢;
展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 半导体材料砷化镓/锗拓扑相研究获重要突破 [J] . . 功能材料信息 . 2014,第001期
2. 挪威科研人员成功研制半导体新材料“砷化镓纳米线” [J] . . 新材料产业 . 2012,第011期
3. 砷化镓GaAs氮化镓GaN材料的发展趋势与市场应用 [J] . 华强 . 集成电路应用 . 2016,第002期
4. Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(8)砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(8) [J] . 向贤碧 ,廖显伯 . 太阳能 . 2016,第001期
5. Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(2)砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(2) [J] . 向贤碧 ,廖显伯 . 太阳能 . 2015,第007期
6. 砷化镓及相关化合物半导体材料的研究进展和应用前景 [C] . 屠海令 ,郑安生 ,张峰翊 . 第四届中国功能材料及其应用学术会议 . 2001
7. 砷化镓基半导体材料抗辐照噪声表征参量研究 [A] . 杨广林 . 2007

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号