英飞凌推出全新低功耗电路

摘要

在旧金山召开的2005年IEEE国际固态电路会议(2月6—10日)上，英飞凌科技公司推出了一种创新电路工艺，能够降低采用120nm和90nmCMOS工艺制造的电路的泄漏电流。采用英飞凌三井结构90nmCMOS工艺和高级芯片家族，生产了几个最高时钟频率从500MHz到2．5GHz的32位加法器内核。待机模式下的泄漏电流降至最低值(10nA)，仅为当前电路的千分之一。