纳米结构TiO2/3-甲基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物复合膜电极光电化学性能

摘要

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/3-甲基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCMT)膜电极和ITO/TiO2/CTCMT复合膜电极的光电转换性质. 结果表明, CTCMT膜为p型半导体, 禁带宽度为2.36 eV, 价带位置为-5.52 eV. 在ITO/TiO2/CTCMT复合膜电极中存在p-n异质结, 在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离. CTCMT膜修饰ITO/TiO2电极可使光电流增强, 光电流起始波长红移至600 nm以上, 使宽禁带半导体电极的光电转换效率得到改善.