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徐科; 田玉莲; 等;
中国科学院上海光学精密机械研究所;
中国科学院北京高能物理所;
同步辐射实验室;
LiAlO2晶体; 位错特征; X射线形貌分析; 铝酸锂单晶体;
机译:X射线形貌分析同质外延金刚石(001)薄膜的位错
机译:通过蚀刻和同步加速器X射线形貌分析了n型和p型4H-SiC材料中的螺纹位错
机译:使用同步加速器X射线形貌分析确定位错的三维分布
机译:通过X射线衍射线形貌分析确定异表晶长膜的结构特征。
机译:Portevin-LeChâtelier效应中的集体位错效应和位错成核导致塑性不稳定性
机译:纳米晶铝在塑性应变恢复中竞争性的晶界和位错介导机制
机译:X射线和磁场作用引起的硅晶体位错的动态行为特征
机译:用透射电子显微镜表征外部晶界位错和晶界位错源。最终报告,1979年6月1日至1981年5月31日
机译:位错控制晶种,相同晶种的生产方法以及SiC单晶的生产方法
机译:低,特征在于发光元件的特征X射线具有以下特征的发光元件特征X射线产生方式:
机译:半导体晶体位错的评估
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