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MOS器件加固技术的理论研究

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摘要

对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状3个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性能的影响.分析得出,增加鸟嘴和场氧区下的掺杂浓度、降低辐照栅电压、减小鸟嘴斜率均将有助于降低寄生泄漏电流,提高抗辐射能力.

著录项

来源
《原子能科学技术》 |2002年第3期|276-279|共4页
作者
罗尹虹; 张正选; 姜景和; 姚育娟; 何宝平; 王桂珍; 彭宏论;
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作者单位

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

西北核技术研究所,陕西,西安,710024;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
抗辐射加固; 掺杂浓度; 辐照偏压; 鸟嘴形状;

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