CMOS工艺微控制器瞬时电离辐射效应实验研究

摘要

利用CMOS工艺微控制器的实验测试系统,在"强光一号"加速器上进行了瞬时剂量率效应实验.实验研究采用的γ脉冲宽度为20 ns,剂量率(以Si原子计)为6.7×106～2.0×108 Gy/s.在不同的剂量率水平下观察到了扰动和闭锁效应,获得了微控制器的闭锁阈值,分析了扰动时间、系统功耗电流与剂量率间的关系.瞬时电离辐射在CMOS工艺电路的PN结中产生光电流,导致了电学和功能参数的退化.