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Kenji Tsuda;
机译:基于CMOS的MEMS传感器工艺开发,用于非常低的电容式压力应用
机译:在200-mm Si(111)衬底上采用CMOS兼容工艺和集成工艺制造AlGaN / GaN MIS-HEMT的工艺一致性和挑战
机译:200mm Si(111)衬底上的CMOS兼容工艺和集成工艺对AlGaN / GaN MIS-HEMT的工艺均匀性和挑战
机译:原位CCVD在硅CMOS兼容加工中具有超高开/关流比的石墨烯晶体管
机译:内置的CMOS MEMS传感器自测解决方案
机译:CMOS兼容工艺制造的硅纳米线中塞贝克系数的特性
机译:用于CmOs缩放的CmOs兼容快速气相掺杂工艺
机译:一种CmOs兼容工艺技术,用于制造横向嵌入的多纳米通道而无需牺牲蚀刻
机译:高增益横向PNP和NPN双极晶体管,并且与CMOS兼容的工艺可用于制造BICMOS电路
机译:垂直多晶硅二极管兼容CMOS / BiCMOS集成电路工艺
机译:兼容CMOS / BICMOS集成电路工艺的垂直多晶硅二极管
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