ASIC新思维:从2D到3D——TSV的挑战与未来

摘要

随着集成电路工艺从微米向纳米迈进，将平面IC往立体或三维发展的硅穿孔（TSV）技术应运而生。在向3D发展进程中，2．5D技术以优越的性能和更低的成本可以满足当前设计要求。