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基于Ga2O3的场效应器件研究进展

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摘要

氧化镓(Ga2O3)作为第三代宽禁带半导体材料,由于其超宽带隙、高击穿场强以及高巴利加优值等优点,广泛应用于大功率器件等领域,已成为近几年来国内外科研人员研究的热点.主要介绍了Ga2O3材料的特性,总结了基于Ga2O3的场效应晶体管(FET)的研究进展,对Ga2O3功率器件的发展进行了思考归纳.

著录项

来源
《电子技术应用》 |2020年第5期|22-26|共5页
作者
高灿灿; 马奎; 杨发顺;
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作者单位

贵州大学大数据与信息工程学院贵州贵阳550025;

贵州大学大数据与信息工程学院贵州贵阳550025;

半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵州贵阳550025;

贵州大学大数据与信息工程学院贵州贵阳550025;

半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵州贵阳550025;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;固体物理学;
关键词
Ga2O3; 宽禁带半导体; 场效应晶体管;

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