航空辐射环境SRAM存储芯片单粒子翻转实验综述

王鹏; 张道阳; 薛茜男

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随着集成电子器件的快速发展,应用在航空电子系统中的SRAM型存储器件集成度也越来越高,尺寸越来越小,其发生单粒子翻转效应的可能性也越来越高,对航空飞行的可靠性和安全性带来严重的隐患.针对国外已有的SRAM型存储芯片的地面辐射实验、航空飞行实验结果进行归纳总结,分析SRAM存储芯片受单粒子翻转效应的影响以及失效特点.

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来源
《电子技术应用》 |2016年第7期|26-28,33|共4页
作者
王鹏; 张道阳; 薛茜男;
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作者单位

中国民航大学天津市民用航空器适航与维修重点实验室,天津300300;

中国民航大学天津市民用航空器适航与维修重点实验室,天津300300;

中国民航大学安全科学与工程学院,天津300300;

中国民航大学天津市民用航空器适航与维修重点实验室,天津300300;

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正文语种 chi
中图分类应用;
关键词
单粒子翻转; SRAM; 辐照实验; 飞行实验;

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