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刘建成; 范辉; 高丽娟; 史淑廷;
核物理研究所;
单粒子效应 ; 存储器件 ; 测试系统 ; 试验研究; 小容量 ; 超深亚微米; 大容量存储器; 特征尺寸 ; 效应研究 ; 最大容量 ;
机译:基于纳米技术中改进的门扩散输入(m-GDI)方法的低功耗,高读取稳定性三元SRAM(T-SRAM)存储器的新颖设计
机译:UA(2)TPG:不可测试分析器和测试模式生成器,用于基于SRAM的FPGA配置存储器中的SEU
机译:具有3D结构的管道式BiCS闪存技术,可实现超高密度非易失性存储器:实现了16个堆叠存储器的测试芯片,每层具有1 Gbit
机译:基于SRAM的组合编码中单粒子效应的评估
机译:基于SRAM的片上存储器的轻量级容错
机译:使用SOC的冗余机制测试和修复存储器的最佳方法
机译:在系统级实现低泄漏SRAM存储器:一个案例研究
机译:在小型业余海军卫星(paNsaT)上的静态随机存取存储器(sRam)中实现错误检测和纠正(EDaC)
机译:SRAM阵列,SRAM单元,微处理器,方法和SRAM存储器(包含逻辑部分的SRAM存储器和微处理器在高性能硅基板和SRAM阵列部分上实现,其中包括场效应晶体管具有链接的主体和方法)
机译:用于在sram单元中实现存储器测试的系统和方法
机译:具有在高性能硅基板中实现的逻辑部分的SRAM存储器和微处理器以及具有具有链接体的场效应晶体管的SRAM阵列部分及其制造方法
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