银掺杂硒化钼(MoSe2)薄膜的制备与光电特性研究

摘要

为提高MoSe 2的光电特性,以MoSe 2粉末为原料、采用化学气相沉积法(CVD)在Si衬底上沉积Ag掺杂的MoSe2薄膜.测量并对比Ag掺杂前后MoSe2薄膜的表面形貌晶体结构光吸收特性以及MoSe 2-Si异质结光电特性.结果表明:Ag掺杂并未改变MoSe 2薄膜的晶体结构且掺杂Ag后的MoSe2的薄膜结晶度更好.掺杂后MoSe2的薄膜的电子迁移率增大6倍,电导率有着显著提高,从而使MoSe2的薄膜具有良好的伏安特性和光电响应.另外,还发现该Ag掺杂MoSe 2的薄膜对可见光有更强的吸收性.以上结果表明MoSe 2薄膜在光电器件领域和航天航空领域具有很大的应用潜力.