用有限元求导法计算VLSI中工艺变化的互连线寄生电容

摘要

集成电路发展到当前纳米级的工艺水平,互连线的宽度已经远低于掩膜光刻工艺中所使用的光波长,使光刻后互连线的外形与设计尺寸不一致,其中一个重要特征就是导线边角固化,这给准确提取互连线的寄生参数带来了困难.本文运用有限元求导的方法,求出互连线寄生电容对于其边角尺寸的敏感度,为设计后期电容的准确提取和分析提供支持.算例表明,这种方法计算出的电容完全满足工程上的精度要求,可以成为集成电路设计的一个辅助工具.