ⅤA族元素对阳极铅（Ⅱ）氧化物膜半导体性质的影响（Ⅱ）

摘要

用光电化学电流法研究了铅，铅砷，铅锑和铅铋合金在４．５ｍｏｌ．Ｌ＾－＾１Ｈ２ＳＯ４溶液（２２℃）中，以０．９Ｖ（νｓ．Ｈｇ／Ｈｇ２ＳＯ４）极化７ｈ而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质。合金添加剂砷，锑和铋对ｔ－ＰｂＯ（四方氧化铅）和－ｏＰｂＯ（斜方氧化铅）的禁带宽度没有影响。从量子效率和电位的关系可求Ｐｂ，Ｐｂ－ｌａｔ％Ａｓ（ａｔ％表示原子百分比，全文同），Ｐｂ－ｌａｔ％Ｓｂ和Ｓｂ－ｌａｔ％Ｂｉ上