三聚苯撑乙烯/蒙脱土发光光谱的时间依赖性

摘要

用原位插层法制备了插层型的三聚苯撑乙烯/蒙脱土(TPV/MMT)纳米复合材料.研究了新制备及在室温储存180天后的TPV/MMT纳米复合材料的荧光光谱及蒙脱土层间距的变化情况.荧光光谱分析表明,储存180天后,TPV/MMT纳米复合材料的最大发射峰由494 nm蓝移到438 nm,半峰宽由77 nm增加到104nm.X射线衍射结果表明,与新制备的复合材料相比,蒙脱土的层间距由1.52 nm减小到1.22 nm.红外光谱分析表明,室温储存180天后的三聚苯撑乙烯苯环的某些特征峰由1598和1554 cm-1分别红移到1506和1462cm-1.依据相关实验和理论数据探讨了储存180天前后TPV在蒙脱土中聚集态结构的变化方式.