多晶TaN_(1-δ)薄膜的电输运性质研究

摘要

利用射频溅射法在石英玻璃基底上制备了一系列面心立方结构的多晶TaN1-δ薄膜,并对其晶体结构和2—350 K温度范围的电子输运性质进行了系统研究.薄膜呈多晶结构,并且平均晶粒尺寸随着基底温度的升高逐渐增大.电输运测量结果表明,TaN1-δ薄膜在5 K以下表现出类似超导体-绝缘体颗粒膜的电输运性质;随着温度的升高,薄膜在10—30 K表现出类似金属-绝缘体颗粒膜的性质;在70 K以上,热涨落诱导的遂穿导电机理主导着电阻率的温度行为.我们的结果表明:TaN1-δ多晶薄膜的类颗粒膜属性使其具有较高的电阻率和负的电阻温度系数.