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鲁东†; 周孟龙; 邵翔鹏; 金冬月; 张万荣; 张瑜洁; 付强; 胡瑞心; 高栋; 张卿远; 霍文娟;
北京工业大学电子信息与控制工程学院;
北京 100124;
SiGe异质结双极晶体管; Ge组分分布; 发射极指间距渐变技术; 热稳定性;
机译:无发射极镇流电阻的SiGe微波功率异质结双极晶体管
机译:重离子宽束和微探针研究0.20- / splμm/ m SiGe异质结双极晶体管和电路中的单事件扰动
机译:SiGe梯度异质结双极晶体管中逆基宽调制效应的解析模型
机译:高热稳定性多指电源SiGE HBT的GE掺杂曲线和布局的同时优化,高热稳定性
机译:用于微波功率放大器的氮化铟镓/氮化镓异质结双极晶体管的设计与制造。
机译:一种新型多拔鳍形SiGe SiGe通道TFET性能提高
机译:基于虚拟衬底的微波功率SiGe HBT和新型SiGe HPT的设计与制造
机译:三(甲基氨基双(二氟膦))金属(0)铬,钼和钨的衍生物:具有高热稳定性和氧化稳定性的新型无挥发性无羰基金属衍生物。
机译:SiGe异质结双极晶体管和形成SiGe异质结双极晶体管的方法
机译:具有超低扩散P +发射区的SiGe异质结双极晶体管
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