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邢修三;
无;
机译:W和Mo共掺杂对Gd_3(Ga,Al)_(12)中的光 - 和热刺激发光和缺陷产生过程的影响和缺陷的产生过程:Ce晶体
机译:单晶CeO_2中由热尖峰产生的缺陷的结构分析:分子动力学研究
机译:Al_(50)Ni_(50)中晶体生长的分子动力学模拟:缺陷的产生
机译:GaAs晶片在高温过程中产生滑移缺陷:从晶体学角度的热弹性研究
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:嗜热球菌的超嗜热古细菌产生的钙铁矿纳米晶体
机译:热涨落对辐射损伤级联产生和钨缺陷动力学的影响
机译:通过超级计算机模拟分析聚乙烯样晶体中的缺陷产生和运动
机译:缺陷例如晶体生长缺陷,光刻掩模,即掩模版的检测方法,以产生例如集成电路,涉及检查图像集上的缺陷以评估图像中重复缺陷的存在
机译:有机光学晶体,微分频率产生元素,太赫兹波产生装置,有机光学晶体的线性缺陷产生方法和有机光学晶体的制造方法
机译:用于生产晶体管,IGBT,晶闸管或二极管的掺杂工艺包括制备半导体主体,在主体中产生晶体缺陷,将氢离子引入到主体中以及进行热处理
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