纳米硅集团表面电子态的理论研究

摘要

研究了Ｈ，－Ｏ或－ＯＨ基吸附于表面的纳米硅集团电子结构的变化情况，选取了几种可能的吸附构型，用定域密度泛函－集团模型数值自洽求解方法的第五性原理计算，求得优化捐附位置，相应的电子结构，并分析了有关的光学性质。在全氢饱和的情况下，能隙比硅体的宽，呈明显的量子尺寸效应：部分－Ｈ被－Ｏ原子取代后，在禁带中出现一些“尾态”，这些态部分被占有：若以－ＯＨ基取代－Ｏ，则相应的空尾态被占有，但带隙变化不大。