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宋志棠; 任巍; 张良莹; 姚熹;
西安交通大学电子材料与器件研究所;
薄膜; 镧钛酸铅; 铁电薄膜; 铅过量; 束腰现象;
机译:铅过量对Pt和LaNiO3电极上钛酸铅镧铁电薄膜性能的影响
机译:PbTiO_3前体中过量的Pb对溶胶-凝胶衍生PbTiO_3 / PbZr_(0.3)Ti_(0.7)O_3 / PbTiO_3薄膜的铁电和疲劳性能的影响
机译:退火对镧改性锆钛酸铅钛酸盐薄膜铁电性能的影响
机译:溶胶-凝胶法制备镧镧钛酸铅薄膜的微观结构与铁电性能的关系
机译:锆钛酸铅镧铅薄膜的介电和铁电性质,用于电容储能。
机译:弛豫铁电和反铁电掺杂镧锆钛酸铅陶瓷中的大电热效应
机译:沉积后退火对脉冲激光沉积衍生的反铁电掺杂镧镧锆酸锡钛酸铅薄膜介电性能的影响
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
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