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柴常春; 杨银堂; 李跃进; 贾护军; 姬慧莲;
机译:基于SF6的β三氧化二镓薄膜电感耦合等离子体刻蚀技术的初步研究
机译:Si衬底上生长的β-SiC薄膜的等离子体刻蚀研究
机译:SF6 / O2混合物中硅的直流等离子体刻蚀的质谱瞬态研究
机译:SF6等离子体刻蚀和微等离子体反应器中硅的轮廓演变
机译:复杂氧化物薄膜的基于卤素的等离子体刻蚀动力学模型及其在预测特征轮廓模拟中的应用。
机译:溅射沉积氟化钇薄膜的结构和氟等离子体刻蚀行为
机译:Ar + O2等离子体刻蚀在具有纳米突起形态的透明氟化乙烯丙烯薄膜上的超疏水性:暴露于环境后疏水性的降低研究
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究
机译:使用(NH3或SF6)和HBr和N?2的混合物在存在硅或硅氧化物的情况下对硅氮化物的选择性等离子体刻蚀
机译:金属薄膜的等离子体刻蚀装置和金属薄膜的等离子体刻蚀方法
机译:SiC SiC薄膜形成方法和SiC薄膜形成装置
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