Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理研究

摘要

采用低压化学汽相沉积(LPCVD)方法,依靠纯SiH4气体分子的表面热分解反应,在由Si-O-Si键和由Si-OH键终端的两种SiO2表面上,自组织生长了Si纳米量子点.实验研究了所形成的Si纳米量子点密度随SiO2表面的反应活性位置数、沉积温度以及反应气压的变化关系.依据LPCVD的表面热力学过程,定性地分析了Si纳米量子点的形成机理.研究结果对具有密度分布均匀和晶粒尺寸可控的Si纳米量子点的自组织生长,以及Si基新型量子电子器件的制备具有重要的实际意义.