4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

摘要

就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究,并对磁性隧道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结,其结电阻与面积的积矢的绝对误差在10%以内,隧穿磁电阻的绝对误差在7%以内,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求.