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胡跃辉; 阴生毅; 陈光华; 吴越颖; 周小明; 周健儿; 王青; 张文理;
北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;
景德镇陶瓷学院,景德镇,333001;
梯度磁场,洛伦兹拟合,a-Si:H薄膜,MWECR CVD系统;
机译:等离子体增强化学气相沉积a-Si:H层覆盖的Nb薄膜的超导和结构特性,用于超导量子位应用
机译:通过电感耦合等离子体化学气相沉积制备的本征a-Si:H薄膜的特性用于太阳能电池应用
机译:异质结太阳能电池应用电感耦合等离子体化学气相沉积制备本征a-Si:H薄膜的表面钝化研究
机译:MWECR CVD等离子体系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜生长速率的影响
机译:在n-i-p基板配置中通过多腔室沉积法制造薄膜a-Si:H太阳能电池的光谱椭偏研究。
机译:通过等离子体增强原子层沉积法沉积的GeSbTe薄膜的相变特性
机译:脉冲功率幅值对高功率脉冲等离子体增强化学气相沉积等离子体特性和薄膜沉积的影响
机译:等离子体沉积的a-si:H薄膜的密度
机译:压力梯度式等离子体发生装置的薄膜沉积等离子体扩散方法
机译:器件零修正拥有器件次要分量的磁场,而中央端修正与器件一起显示的磁场和异质特性图,异质特性图根据器件和SIMD梯度来计算,而异质特性图决定了这三个强度的三维波动
机译:用于沉积双面薄膜的装置和使用该薄膜的薄膜沉积系统,能够通过提高等离子体密度来增加沉积过程的速度
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