化学气相沉积法制备定向碳纳米管阵列

摘要

以二茂铁和二甲苯分别作为催化剂和碳源,采用一种无模板的化学气相沉积法,使用单温炉设备,成功地制备了高度定向的碳纳米管阵列.分别用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和电子能量散射谱、拉曼光谱对碳纳米管阵列进行形貌观察和表征,并研究了不同工艺参数对碳纳米管阵列形貌的影响.结果表明:在生长温度为800℃,催化剂浓度为0.02 g/mL,抛光硅片上容易获得高质量的定向碳纳米管阵列,在此优化条件下生长的定向碳纳米管的平均生长速率可达25 μm/min.