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朱樟明; 郝报田; 钱利波; 钟波; 杨银堂;
西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;
通孔效应; 边缘传热效应; 纳米级互连线; 温度分布模型;
机译:考虑通孔效应的多层纳米级互连的新型分析热模型
机译:考虑温度效应的多壁碳纳米管基硅通孔的传输特性
机译:微/纳米级传热:界面效应主导传热
机译:考虑衬底效应的互连线的高频阻抗提取和用于未来VLSI互连线的单壁碳纳米管的探索。
机译:冷冻干燥过程中的传热和传质放大问题I:非典型辐射和边缘样品瓶效应
机译:考虑衬底效应和耦合水平互连的硅通孔串联阻抗的完全分析模型
机译:包括边界层边缘可变熵效应的梭式结构传热计算
机译:在考虑自热效应的情况下测量晶体管参数-测量温度。由效应引起的上升,以及相应降低的环境温度的电流和电压。
机译:一种场效应晶体管的制造方法,所述场效应晶体管在所述门的电极和所述互连线之间具有电连接,所述互连线金属自对准,并且电路集成在所述合成物中
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