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65-90 nm技术节点的WCA模型和提取算法

         

摘要

在90 nm和65 nm技术节点,集成电路制造业的投资剧增而随机成品率却在下降低.为了提升随机成品率,带权关键面积的(WCA)计算和排序是关键.文中基于数学形态学提出了一种随机缺陷轮廓的WCA新模型,该模型不仅考虑了90 nm和65 nm工艺中缺陷在布线区域和空白区域的不同密度,而且也考虑了缺陷在粒径上的分布特性;同时还设计并实现了与新模型对应的WCA提取与排序算法,部分版图上的实验结果表明新WCA可以作为版图优化的代价函数,从而为随机缺陷的版图优化提供了精确依据.

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