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石大为; 吴美玲; 杨昌平; 任春林; 肖海波; 王开鹰;
湖北大学物理学与电子技术学院;
武汉430062;
Department of Micro and Nano Systems Technology;
Vestfold University College-HiVe;
Horten 3184;
Norway;
钙钛矿结构锰氧化物; 庞磁电阻(CMR); 肖特基势垒; 空间电荷层;
机译:晶界对空穴掺杂锰La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3,La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3和(La_(0.75)Y_(0.25))_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3的磁阻的影响
机译:在Pt / Ti / SiO_2 / Si衬底上生长的非晶Pr_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜的单极电阻转换特性
机译:脉冲激光沉积法在氧化铟锡/玻璃衬底上生长的非晶Pr_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜的电阻转换特性
机译:氧气热处理对Ti / PR_(0.7)CA_(0.3)MNO_3 / PT元素的抗性变化特性的影响
机译:迈向电陶瓷的结构-特性相关:钛酸锶的化学环境和晶界的电子结构。
机译:透射电子显微镜观察Al晶粒尺寸晶界沟槽与Al / AlOx / Al隧道结氧化物势垒厚度局部变化的相关性
机译:磁性假晶外延薄膜的磁性 在不同的双轴拉伸应力下,pr_ {0.7} Ca_ {0.3} mnO_3
机译:以In0.3al0.7as0.4sb0.6为阻挡材料的Inas基异质结构势垒变容二极管。
机译:晶界势垒层陶瓷电容器和陶瓷介电成分
机译:掺杂钛酸酯玻璃陶瓷的晶界势垒层电容器
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