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张晓青; G.M.Sessler; 夏钟福; 张冶文;
同济大学波耳固体物理研究所;
上海200092;
达姆施塔特技术大学电声研究所;
驻极体; 薄膜; 电荷储存; 热离子发射; 硅基; 双层膜;
机译:Si_3N_4和厚(5.5 nm)SiO_2的多层结构中的电荷输运积累
机译:多晶硅/ SiO_2 / Si_3N_4 / SiO_2 / Si和TaN / Al_2O_3 / Si_3N_4 / SiO_2 / Si结构中隧穿模拟的Franz色散关系
机译:化学计量和减应力Si_3N_4 / SiO_2 / Si_3N_4多层膜的膜筛构建及其在血浆分离中的应用
机译:vo_x微致荷敏仪对Si_3N_4 / SiO_2膜对探测器的深XEF2蒸气蚀刻制备的Si_3N_4 / SiO_2膜的特性
机译:双层锰的电荷输运和磁性。
机译:完全原子模拟的咪唑基离子液晶的电荷输运和相行为
机译:Si_3N_4和SiC的激光物理气相沉积及成膜机理(材料,冶金和焊接性)
机译:双门控双层石墨烯中的电荷输运与Corbino几何
机译:氮化硅膜Si_3N_4或氧化硅膜SiO_2的高温石墨实验容器及其制造方法
机译:使用化学计量改性的氮化物蚀刻停止层进行高密度选择性SiO_2:Si_3N_4蚀刻
机译:防电荷膜基和包括防电荷膜基的照相材料
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