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孙沛; 李建军; 邓军; 韩军; 马凌云; 刘涛;
北京工业大学电子信息与控制工程控学院;
光电子技术省部共建教育部重点实验室;
北京100124;
A1GaInR温度; MOCVD;
机译:(Al_(0.7)Ga_(0.3))_(0.5)In_(0.5)P /(Al_(0.3)Ga_(0.7))_(0.5)In_(0.5)P多重量子垒超晶格的研究断面扫描隧道显微镜
机译:所有MOCVD生长的Al_(0.7)Ga_(0.3)N / Al_(0.5)Ga_(0.5)N HFET:一种与富AlAlGaN沟道晶体管进行欧姆接触的方法
机译:在Ba_(0.5)Sr_(0.5)Co_(1-y)Fe_yO_(3-δ)(y = 0.1-0.9)氧化物上作为La_(0.9)Sr_(0.1)Ga_(0.8)Mg_(0.2)O_的阴极材料(2.85)个基于IT的SOFC
机译:作为/ IN_(0.5)GA_(0.25)的临界层厚度研究在GaAs基板上生长的假形谐振隧道二极管结构,如/ in_(0.5)AS / IN_(0.5)AL_(0.5)
机译:无稀土抗钙钛矿Sr2.5-xBa0.5Al1-xP xO4F(0小于或等于x小于或等于0.15),Sr3Al1-xY xO4F(0小于或等于0)的固态合成和表征x小于或等于1)和Sr2.5-x / 2Ba0.5 Al1-xHfxO4F(0小于或等于x小于或等于0.1)作为潜在的荧光粉材料。
机译:Li0.9□0.1NiV0.5P0.5O4的电介电性能及交流导电机理的研究
机译:0.9(PBFE0.5NB0.5)O3-0.1CO0.6ZN0.4FE1.7MN0.3O4颗粒复合材料的相变和磁电响应对磁电响应的研究
机译:Limn(sub 2-x)Cu(sub x)O(sub 4)尖晶石(0.1(le)x(le)0.5):用于Li电池的新型5V V阴极材料。 I.电化学,结构和光谱研究。
机译:在La(Zn0.5Ti0.5)O3- K0.5Na0.5NbO3固溶体中获得的超宽工作温度介电材料
机译:C为0.1 0.5重量%,Si为0.1 0.5重量%,Cr 1.5
机译:半导体激光器发射具有(alxga1-x)0.5in0.5p-晶体层的可见光以及生长(alxga1-x)0.5in0.5p-晶体的方法。
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