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廖远宝; 徐岭; 杨菲; 刘文强; 刘东; 徐骏; 马忠元; 陈坤基;
南京大学物理学院;
南京微结构国家实验室;
江苏省光电信息功能材料重点实验室;
南京210093;
硫系相变材料; Ge1Sb2Te4; Ge2Sb2Te5;
机译:Ge_1Sb_2Te_4和Ge_2Sb_2Te_5相变材料薄膜的电输运特性比较研究
机译:Ge_2Sb_2Te_5和Ge_1Sb_2Te_4相变材料的热稳定性和电特性比较
机译:金属有机化学气相沉积Ge_2Sb_2Te_5薄膜的结构特性用于相变存储应用
机译:相变Ge_2Sb_2Te_5薄膜的激光诱导结构,电学和光学性质演化
机译:通过金属有机化学气相沉积相选择合成Tl-Ba-Ca-Cu-O薄膜和多层结构。工艺优化,相变,电学表征和微结构发展。
机译:寡聚噻吩薄膜中的相变和单层结构的形成:用原位X射线衍射和电学测量相结合的探索
机译:填充多相变化材料的热能存储单元动态特性的研究
机译:用于射频和微波应用的分层介电和磁性复合材料及共混物结构的电学和结构特性研究
机译:制造薄膜结构的方法,使用该薄膜结构的存储节点的方法,使用该薄膜结构的相变随机存取存储器的制造方法,使用该薄膜结构的相变随机存取存储器的存储节点
机译:相变存储器具有相反的相变特性,相变存储器具有高度集成的三维结构,使用相同的结构
机译:3相变随机存取存储器具有相反的相变特性,相变随机存取存储器具有高密度的三维结构,使用相同的结构
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