高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析

郭亮良; 冯倩; 郝跃; 杨燕

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高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析

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就蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大,但是采用场板后器件的击穿电压从52V提高到了142V.在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真,深入分析了FP对器件击穿电压的影响.

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来源
《物理学报》 |2007年第5期|2895-2899|共5页
作者
郭亮良; 冯倩; 郝跃; 杨燕;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所;

宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

西安710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O472.4;
关键词
AlGaN/GaN; HEMT; 场板; 击穿电压;

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