(H4N)2S对电合成CoO/聚苯胺复合膜腐蚀性能的影响

摘要

在CoSO4-C6H7N-H2SO4混合液中,采用恒电位法合成了CoO/聚苯胺(PANI)复合膜,研究了添加剂(H4N)2S对CoO/PANI复合膜的影响.通过电化学测试技术、SEM、XRD和加速腐蚀试验等方法对CoO/PANI复合膜的微观形貌及耐腐蚀性能进行分析.结果 表明,合成的CoO/PANI复合膜中,CoO以晶体形式存在,(H4N)2S的加入改变了CoO/PANI复合膜膜层的微观形貌,由不致密不规则的片状结构转变为均匀致密规则的片状一体结构,(H4N)2S加入量过大导致(H4N)2S-CoO/PANI复合膜表面出现少量孔洞;未添加(H4N)2S的CoO/PANI复合膜自腐蚀电流密度为7.079×10-6 A/cm2,自腐蚀电位为-0.545 V,添加0.3 g/L的(H4N)2S后,(H4N)2S-CoO/PANI复合膜自腐蚀电流密度达到7.943×10-7 A/cm2,自腐蚀电位达到-0.314 V,极化电阻为6 426.8Ω·cm2,经过10％HCl点滴腐蚀时间达478 s,中性盐雾实验56h未见锈蚀,(H4N)2S显著提高了CoO/PANI复合膜的耐腐蚀性能.