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范玉杰; 韩培德; 梁鹏; 邢宇鹏; 叶舟;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;
北京100083;
太阳电池; 离子注入; 扩散; 发射极; 背面场; 退火;
机译:杂质离子注入单晶硅:效率和辐射损伤
机译:日东电工和紫外线,有效利用太阳电池的效率提高波长转换功能用于太阳电池封装座椅开发
机译:博世、太阳电池的转换效率19.6实现单结晶156×156 mm大型硅太阳电池,实现
机译:具有丝网印刷触点的全植入单晶硅太阳能电池的效率(17.2%)
机译:具有计算效率的模型对MeV离子注入的蒙特卡洛模拟。
机译:具有ALD-Al2O3栅极电介质的全离子注入常关GaN DMOSFET
机译:电池温度对单晶硅太阳电池光伏参数的影响
机译:单晶硅中离子注入硼,氮和磷的性质
机译:用于生长单晶硅片和单晶硅片的方法,由于硅晶片中的氧气浓度不均匀,该单晶硅片和单晶硅片能够降低失效率
机译:太阳电池效率测量过程中基质掺杂和串联电阻的表征
机译:全铝背场晶体硅太阳电池低温烧结背银浆
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