HEMT直流特性、微波和噪声参量的计算

摘要

本文全面分析计算了HEMT器件的直流特性、微波和噪声参量。考虑了二维电子气密度与费米能级关系,得出修正后的电荷控制模型,并结合饱和速度特性计算了HEMT直流特性,同时讨论了负迁移率特性影响。本文第一次得出了HEMT电容特性与噪声参量分析表示式,计算Fukui噪声参数KF,表明其值比GaAs MESFET小50～70％。