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光电双基区晶体管(PDUBAT)物理模型探讨

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本文通过分析器件内部电流传输探讨了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻特性产生机理,首次提出了PDUBAT负阻形成的原因是其输出管横向输出电流的反馈作用,这一看法得到了实验验证.

著录项

来源
《电子学报》 |2001年第8期|1123-1125|共3页
作者
郑云光; 张世林; 郭维廉; 李树荣; 沙亚男; 毛陆虹;
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作者单位

天津大学电子信息工程学院,;

天津大学电子信息工程学院,;

天津大学电子信息工程学院,;

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天津大学电子信息工程学院,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体光电管;
关键词
光电双基区晶体管; 间接耦合光电探测器;

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