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彭龙新; 杨乃彬; 林金庭;
南京电子器件研究所,江苏南京,210016;
赝配高电子迁移率晶体管; 宽带单片低噪声放大器; 漏电流温度特性; 增益温度特性; 增益温度补偿;
机译:1-30 GHz超宽带低噪声放大器,具有片上温度补偿电路
机译:具有温度补偿的宽带BiCMOS热噪声消除低噪声放大器
机译:具有温度补偿的宽带HEMT MMIC低噪声放大器
机译:具有内置温度补偿有源偏置电路的宽带平增益高线性增益块MMIC放大器
机译:具有温度补偿偏置的900MHz低噪声放大器
机译:宽带低温微波低噪声放大器
机译:采用45nm绝缘硅互补金属氧化物半导体(sOI CmOs)的94GHz温度补偿低噪声放大器。
机译:可变增益宽带反馈低噪声放大器,可增加低噪声放大器
机译:紧凑的单片宽带HEMT低噪声放大器,具有可调节的自偏置
机译:用于电子系统的单片微波集成电路的可调增益宽带分布式微波放大器单元,具有两个以级联方式组装的晶体管,其中放大器单元的增益被调整
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