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机译:具有温度补偿的宽带HEMT MMIC低噪声放大器
机译:基于变质HEMT技术的243 GHz低噪声放大器MMIC和模块
机译:使用0.25μmALGaN / GaN HEMT技术在SiC衬底上的X波段MMIC低噪声放大器MMIC
机译:使用Nanogate InGaAs / InAlAs HEMT技术的电子带低噪声放大器MMIC
机译:35nm和50nm栅极长度变质HEMT技术对毫米波低噪声放大器MMIC的比较
机译:使用氮化镓HEMT的毫米波宽带功率放大器MMIC的开发。
机译:宽带低温微波低噪声放大器
机译:坚固的GaN HEMT低噪声放大器MMIC ud适用于X波段应用
机译:0.1um Inp HEmT器件和用于从x波段到W波段的低温低噪声放大器的mmIC