同轴静电纺丝技术制备Y_2O_3:Eu~(3+)@SiO_2豆角状纳米电缆与表征

摘要

采用同轴静电纺丝技术,以氧化钇、氧化铕、正硅酸乙酯(C_8H_(20)O_4Si)、无水乙醇、PVP和DMF为原料,成功制备出大量的Y_2O_3:Eu~(3+)@SiO_2豆角状纳米电缆.用TG-DTA,XRD,SEM,TEM和荧光光谱等分析技术对样品进行了系统地表征,结果表明,得到的产物为Y_2O_3:Eu~(3+)@SiO_2豆角状纳米电缆,以无定型SiO_2为壳层,晶态Y_2O_3:Eu~(3+)球为芯,电缆直径约为200 nm,内部球平均直径约150 nm,壳层厚度约为25 nm,电缆长度>300 μm.纳米电缆内部为球状结构,沿着纤维长度方向有序排列,形貌均一.Y_2O_3:Eu~(3+)@SiO_2豆角状纳米电缆在246 nm紫外光激发下,发射出Eu~(3+)离子特征的波长为614 nm的明亮红光,对其形成机理进行了初步讨论.